| 《计算机学报》文章摘要 全文下载 | |
| 文章题目 | 芯片功耗与工艺参数变化：下一代集成电路设计的两大挑战 |
| 作者 | 骆祖莹 |
| 作者单位 | (北京师范大学电子工程系 北京 100875) (中国科学院计算机系统结构重点实验室 北京 100080) |
| 发表年份 | 2007 |
| 发表月份 | 7期(1054—1063) |
| 文章摘要 | 摘要 目前Intel、AMD、IBM等国际著名厂商均将其集成电路生产工艺全面转入65nm制程，对于以高性能为目标的高端芯片设计，受到了来自成本、设计与测试复杂性等方面的诸多挑战.文中主要论述了其中两个重要而具体的挑战：高功耗和日益显著的工艺参数变化(process variation).首先分析了纳米工艺下芯片功耗的组成、高功耗的诸多危害和目前主要的低功耗设计方法；然后分析了工艺参数变化的组成，较大工艺参数变化对电路设计的影响以及电路性能分析、功耗分析和低功耗设计的统计式算法；最后结合笔者的研究工作，简单地对下一代集成电路设计的相关研究热点进行预测. 关键词 集成电路(IC)；纳米工艺；功耗；性能；低功耗设计；工艺参数变化 中图法分类号 TP303 |